产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:NAND闪存RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-48系列:MT29F存储容量:1 Gbit接口类型:Parallel组织:128 M x 8定时类型:Asynchronous数据总线宽度:8 bit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6 V电源电流—最大值:35 mA最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C封装:Tray产品:NAND Flash 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:NAND Flash 工厂包装数量:960 子类别:Memory & Data StorageNAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，NAND闪存  使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图2.2所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。